SiC基板は、半導体デバイスの製造に使用される材料の一つで、シリコン（Si）よりも優れた物理的、化学的特性を持っています。特に、高温や高電圧、高周波において優れた性能を発揮するため、パワー半導体デバイスやRF（高周波）デバイスの基板材料として注目されています。以下に、SiC基板の主な特徴をいくつか紹介します。

1. 高温耐性

SiCは非常に高い融点（約2,730℃）を持ち、高温環境下でも安定した性能を維持できます。これにより、高温で動作するデバイスの製造が可能になります。

2. 高電圧耐性

SiCは高い耐電圧性を持ち、シリコン基板に比べて薄い層で高い電圧を扱うことができます。これにより、エネルギー効率の良いパワー半導体デバイスが開発されています。

3. 高熱伝導率

SiCはシリコンよりも高い熱伝導率を持つため、デバイス内の熱を効率的に排出することができます。これにより、デバイスの信頼性と寿命が向上します。

4. 広いバンドギャップ

SiCは広いバンドギャップを持っており、紫外線などの高エネルギー放射線に対しても耐性があります。この特性は、宇宙航空産業や軍事用途での利用が期待されています。

5. RFデバイスへの適用

SiC基板は高周波数での動作に優れており、携帯電話基地局やレーダーシステムなどのRFデバイスに適用されています。

SiC基板のこれらの特性により、自動車の電動化、再生可能エネルギーの効率化、次世代通信技術（5Gやそれ以上）など、多岐にわたる分野での応用が進んでいます。しかし、SiC基板はシリコン基板に比べて製造コストが高いという課題もあります。技術の進歩とともに、コストダウンが進められており、将来的にはより広範な応用が期待されています。

炭化ケイ素 (SiC) ウェーハまたは基板を示す画像です。

＜トップページへ＞

Tweet